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BOND MEISTER
BOND MEISTER
BOND MEISTER概要

  开拓键合工艺新领域的常温晶片键合装置

  • ?2枚晶片在室温下牢固结合……这种梦幻般的结合方法就是使表面活性化的常温键合。
  • ?常温键合是起源于日本的技术,从很久以前开始研究至今。
  • ?常温键合技术因其简单的工艺和可使用广泛的材料,而使其应用的领域正急速扩大。
  • ?该常温接合除了用于研究和试验,也可充分用于实际的电子元器件生产领域。
  • ?BOND MEISTER是本公司多年培育的制造技术和键合工艺技术的结晶,正是配得上MEISTER(匠)这个名字的键合装置。
  • ?高稳定性、高接合品质的装置,加上集中了敝公司技术实力的键接合装置的售后支援服务,为您的电子元器件开发贡献力量。

 

咨询

Mitsubishi Heavy Industries(Shanghai) Co.,Ltd.

电话号码:86-21-6841-3030

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原理和特点


■原理

?在高真空环境中向键合材料的表面照射离子源和中性原子束。

?材料表面的氧化膜和吸附层会被消除,显现材料本身所具有的“原子结合键”,它被称为“被活性化处理的表面”。

?被活性化处理的表面相互接触后,键合力会立即起作用,使2个材料之间牢固键合。



■特点

?在常温(室温)工艺下可得到与原材料相同的键合强度。

?不会产生因键合引起的热变形和热应力,所以更易于对微细化的处理,电子元器件品质更稳定。

?因不需要加热、冷却时间,可实现高产量。

?可键合的材料种类范围广。也可键合不同种类的材料。




常温键合的应用


  键合大致应用于以下几个方面。

?晶片级封装

  尤以MEMS和晶体电子元器件为中心,通过无热变形的封装,可提升电子元器件品质,降低成本。

?功能性晶片的制造

  通过异种材料的承载晶片的键合,可制造出各种功能性晶片。

?活用直接键合的应用

  因为直接键合,不通过树脂、合金等中间材料,所以电子元器件的特性得到了改善。

  还能使中间材料的成本为零。

?晶片压叠层

  键合多层形成硅通孔电极(TSV)的晶片,可制造三维集成化电子元器件。

  因为不加热,所以能保持电子元器件的高可靠性。

  由于没有热变形,可使电子元器件的内部压力最小化。




键合实例


  硅系材料


  氧化物系材料


  化合物半导体


  金属材料


其他型号装置


为了满足不同客户的需求,我们还准备了其他相应的型号。

?可应对100mm到300mm的晶片尺寸。

?每个装置都内置搬运、对位结构,投入后可立即进行生产。

?拥有简单易懂的操作体系,谁都能立即操作。

?拥有配方管理、日志管理等强大的生产管理功能,能切实进行品质管理。




装置投入的优势

?通过没有热变形的键合大大提高成品率。

?因为能键合各类材料,电子元器件设计更自由。

?因为没有热变形,电子元器件更小更薄,使1枚晶片的容量得到增加。

?通过牢固的键合实现键合领域的极小化,使1枚晶片的容量得到增加。

?因为直接键合,所以无需使用树脂或金属等中间材料,使成本下降。

?无需特殊配置,能控制运行成本。



客户支援 BOND MATE



对客户的开发支援体制

?针对使用常温键合开发电子元器件的客户,我们准备了支援程序“Bond Mate”。从开发初期的材料验证到量产运行、售后服务,我们全程为您提供帮助。


微细激光加工机

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